时隔半年，继“破晓（PoX）”皮秒闪存器件问世后，复旦大学在二维电子器件工程化道路上再次取得重大突破。复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室研发的“长缨（CY-01）”架构将二维超快闪存器件“破晓（PoX）”与成熟硅基CMOS工艺深度融合，成功研发出全球首颗二维-硅基混合架构芯片。这一突破攻克了新型二维信息器件工程化的关键难题，为新一代颠覆性器件缩短应用化周期提供了范例，并为推动信息技术迈入全新高速时代提供强力支撑。相关研究成果以《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》为题，于北京时间10月8日晚间在《自然》期刊上发表。从原子级器件到功能芯片，跨越“从实验室到工厂”的鸿沟，大数据与人工智能时代对数据存取性能提出了极高要求，而传统存储器的速度与功耗已成为阻碍算力发展的主要问题之一。今年4月，周鹏-刘春森团队提出“破晓”二维闪存原型器件，实现了400皮秒超高速非易失存储，是迄今最快的半导体电荷存储技术，为打破算力发展困境提供了底层原理。
然而，颠覆性器件要真正走向系统级应用往往需要很长时间。回溯硅基芯片的发展历程，半导体晶体管自1947年诞生起，历经贝尔实验室、仙童与英特尔等顶尖力量二十余年的接力研发，才催生出全球第一颗CPU。作为集成电路的前沿领域，二维电子学近年来获得诸多关注，但研究者们最关心的问题是如何加速产业化进程，让二维电子器件走向功能芯片。周鹏-刘春森团队主动融入产业链，尝试从未来应用的终点出发，倒推最具可能性的技术发展路径。
当前，CMOS技术是集成电路制造的主流工艺，市场中的大部分集成电路芯片均使用CMOS技术制造，产业链较为成熟。团队认为，如果要加快新技术孵化，就要将二维超快闪存器件充分融入CMOS传统半导体产线，这也能为CMOS技术带来全新突破。基于CMOS电路控制二维存储核心的全片测试支持8-bit指令操作，32-bit高速并行操作与随机寻址，良率高达94.3%。这也是迄今为止世界上首个二维-硅基混合架构闪存芯片，性能远超目前的Flash闪存技术，首次实现了混合架构的工程化。
为了找到这条“正确的路”，团队前期经历了5年的探索试错，在单个器件、集成工艺等多点协同攻关。团队的第一项集成工作发表于2024年的Nature Electronics，在最理想的原生衬底上实现了二维良率的突破，这为他们在真实复杂的CMOS衬底上解决问题提供了基础。如何将二维材料与CMOS集成又不破坏其性能，是团队需要攻克的核心难题。CMOS电路表面有很多元件，如同一个微缩“城市”，有高楼也有平地，高低起伏；而二维半导体材料厚度仅有1-3个原子，如同“蝉翼”般纤薄而脆弱，直接将二维材料铺在CMOS电路上会导致材料破裂。